5G Baz İstasyonu Termal Yönetimi: Potting Silikonu Isı Sorununu Nasıl Çözüyor?

2026,08,13

5G ağlarının devreye alınması, önceki hücresel nesillerde mevcut olmayan bir termal yönetim sorununu ortaya çıkardı. 5G Aktif Anten Birimleri (AAU), düzinelerce güç amplifikatörü kanalı içeren devasa MIMO dizilerini kompakt muhafazalarda entegre eder. Ortaya çıkan ısı yoğunluğu 4G ekipmanını çok aşıyor ve yüksek termal iletkenliği RF sinyal şeffaflığıyla birleştiren saklama malzemeleri gerektiriyor.

4G baz istasyonlarında kullanılan geleneksel kaplama bileşikleri tipik olarak 0,2-0,3 W/mK aralığında termal iletkenlik sunuyordu. 4G uzak radyo ünitelerinin daha düşük güç yoğunlukları için yeterli olsa da bu malzemeler, 5G AAU'ların ürettiği termal yükleri yönetemez. Tasarım sınırlarını aşan bağlantı sıcaklıkları, uygulayıcı verimliliğinin azalmasına, hata oranlarının artmasına ve bileşen bozulmasının hızlanmasına neden olur.

Malzeme bilimcileri için zorluk, termal iletkenliğin arttırılmasının tipik olarak daha fazla termal iletken dolgu parçacıklarının eklenmesini gerektirmesidir, bu da malzemenin dielektrik sabitini de arttırır. Yüksek bir dielektrik sabiti RF sinyal yayılımını etkiler ve potansiyel olarak amplifikatörün iletmeye çalıştığı sinyalleri bozar.

Hong Ye Silikon, RF sinyal kaybını 0,1 dB'nin altında sınırlamak için yeterince düşük bir dielektrik sabitini korurken 0,5 W/mK termal iletkenlik elde ederek HY-9055 formülasyonu ile bu zorluğu çözdü. Bu denge, dolgu malzemelerinin dikkatli seçimi ve derecelendirilmesi ve parçacık boyutu dağılımının optimizasyonu yoluyla sağlandı.

Birden fazla 5G ağ operatöründen alınan saha dağıtım verileri bu yaklaşımın etkinliğini doğruluyor. HY-9055 ile donatılmış baz istasyonları, PA bağlantı sıcaklıklarını hava soğutmalı tasarımlardan 15-20C daha düşük tutar, bu da sinyal kalitesinde ve ekipman güvenilirliğinde ölçülebilir iyileştirmeler sağlar. 2-4 saatlik hızlı kürlenme süresi, ağ kurulumu için gereken hızlı üretim programlarını destekler.

Temel Çıkarımlar:

• 5G AAU ısı yoğunluğu 4G ekipmanı 3-5 kat aşıyor

• Saksı silikonu termal iletkenliği RF şeffaflığıyla dengelemelidir

• 0,5 W/mK bileşikler PA bağlantı sıcaklıklarını 15-20°C azaltır

• Optimize edilmiş formülasyonlarla 0,1dB'nin altındaki sinyal kaybına ulaşılabilir